| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPP032N06N3 G | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | 下载 |
| IPP032N06N3G | Infineon(英飞凌) | 120 A, 60 V, 0.0032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
| IPP032N06N3G | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | 下载 |
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 | 下载 |
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Qg-栅极电荷 | 124 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封装 | Tube |
| 高度 | 15.65 mm |
| 长度 | 10 mm |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 类型 | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 149 S, 75 S |
| 下降时间 | 20 ns |
| 上升时间 | 120 ns |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns |
| 单位重量 | 6 g |
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