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IPP032N06N3 G

在4个相关元器件中,IPP032N06N3 G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPP032N06N3 G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3 下载
IPP032N06N3G Infineon(英飞凌) 120 A, 60 V, 0.0032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IPP032N06N3G 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 下载
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 下载
IPP032N06N3 G的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3

参数
参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压60 V
Id-连续漏极电流120 A
Rds On-漏源导通电阻2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压3 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷124 nC
最小工作温度- 55 C
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散188 W
配置Single
通道模式Enhancement
封装Tube
高度15.65 mm
长度10 mm
晶体管类型1 N-Channel
类型OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度4.4 mm
正向跨导 - 最小值149 S, 75 S
下降时间20 ns
上升时间120 ns
工厂包装数量500
典型关闭延迟时间62 ns
典型接通延迟时间35 ns
单位重量6 g
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